Numéro de produit du fabricant:
TSM061NA03CV RGG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM061NA03CV RGG-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)
Inventaire:
12897064
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SOUMETTRE
TSM061NA03CV RGG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1136 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
44.6W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (3.1x3.1)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
TSM061
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
TSM061NA03CVRGGCT
TSM061NA03CV RGGDKR-DG
TSM061NA03CVRGGTR
TSM061NA03CV RGGTR
TSM061NA03CVRGGDKR
TSM061NA03CV RGGCT
TSM061NA03CV RGGCT-DG
TSM061NA03CV RGGDKR
TSM061NA03CV RGGTR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
NTTFS4C08NTAG
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1400
NUMÉRO DE PIÈCE
NTTFS4C08NTAG-DG
PRIX UNITAIRE
0.36
TYPE DE SUBSTITUT
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
0.41
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PRIX UNITAIRE
0.32
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PRIX UNITAIRE
0.42
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PRIX UNITAIRE
0.37
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